第三代半导体碳化硅器件,或将大幅降低新能源能耗
硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料,90%以上的半导体产品是以硅为原材料制成的。然而受材料本身特性的限制,硅器件逐渐难以满足新兴应用对器件高功率及高频性能的需求。
碳化硅是什么?
SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强,在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC存在多晶型体,致使它们的物理特性值各有不同。
碳化硅有什么用?
以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。SiC作为第三代半导体材料的典型代表,是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于SiC功率器件可显著降低电子设备的能耗,因此SiC器件也被誉为带动新能源革命的“绿色能源器件”。
SiC在新能源汽车中的应用及突破
续航里程和充电时间是影响新能源汽车发展的重要因素,新能源汽车未来的发展趋势也将围绕智能化、轻量化、集成化展开,SiC器件将成为加速新能源汽车发展的重要助力。
提升加速度
SiC器件的使用能让驱动电机在低转速时承受更大的输入功率,且因SiC的高热性能,不怕电流过大导致的热效应和功率损耗。在车辆起步时,SiC器件驱动电机能够输出更大扭矩,获得更强的加速能力。
增加续航里程
SiC器件可以通过导通、开关两个维度降低损耗,从而增加新能源汽车续航里程。新能源汽车使用 SiC器件能够增加 5-10%续航里程,平均续航里程超过 600 公里。
高额定电压
SiC在高电压、大功率的工作环境下,性能更显优异,电流传导效率更高,因此新能源汽车采用该技术可以达到更加节能的效果,同时SiC器件也可以实现轻量化的效果。
目前,SiC器件已应用于电动汽车内部的关键电力系统,包括牵引逆变器、车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器。与传统硅器件相比,SiC器件具有高电压和高频率的优势,从而实现更高的系统效率、更快的开关、更低的能耗和更好的热管理。